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2SK930E

更新时间： 2024-11-15 19:46:11
品牌 Logo 应用领域
谏早电子 - ISAHAYA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 619K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SC-70, 3 PIN

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2SK930E 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK930E 数据手册

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〈FIELD-EFFECT TRANSISTOR〉  
2SK930  
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION  
N CHANNEL JUNCTION TYPE  
DESCRIPTION  
OUTLINE DRAWING  
Unit：ｍｍ  
2SK930 is a super mini outline resin sealed N channel junction type  
FET. It is designed for low frequency voltage amplify, application and  
analog switch application.  
2.1  
0.425 1.25  
0.425  
①
②
FEATURE  
●Small type for mounting.  
●High |yfs| ｜ｙｆｓ｜=3mS（typ）  
●Low RDS（ON） RDS(ON)=250Ω（typ）  
③
APPLYCATION  
General purpose voltage amplify, analog switch circuit for stereo,  
cassette deck, VTR.  
JEITA：SC-70  
JEDEC：－  
TERMINAL CONNECTOR  
①：SOURCE  
②：DRAIN  
③：GATE  
MAXIMUN RATINGS（Ta=25℃）  
MARKING  
Symbol  
VGDO  
IG  
Parameter  
Gate to Drain voltage  
Gate current  
Ratings  
-50  
Unit  
V
10  
mA  
mW  
℃
PT  
Total allowable dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
150  
K C  
Tch  
Tstg  
+150  
-55～+150  
℃
TYPE NAME  
IDSS ITEM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min  
-50  
-
Typ  
-
Max  
-
V（BR）GDO  
IGSS  
Gate to Drain breakdown voltage  
Gate leakage current  
Drain current  
IG=-10μA, IS=0A  
V
nA  
mA  
V
VGS=-30V, VDS=0V  
-
-1  
12  
-6.0  
-
IDSS *  
VGS（OFF）  
｜yfs｜  
｜yos｜  
Ciss  
VDS=10V, VGS=0V  
1.0  
-0.3  
1.0  
-
-
Cut off voltage  
VDS=10V, ID=10μA  
-1.5  
3.0  
10  
8
Forward transfer admittance  
Output admittance  
VDS=10V, VGS=0V, f=1kHz  
VDS=10V, VGS=0V, f=1kHz  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=10mVrms(1kHz), VGS=0V, IDSS=5mA  
mS  
μS  
pF  
pF  
Ω
-
Input capacitance  
-
-
Crss  
Feedback capacitance  
Drain to Source resistor  
-
1.5  
250  
-
RDS(ON)  
-
-
＊：It shows IDSS classification in right table.  
ITEM  
C
D
E
IDSS(mA)  
1.0～3.0  
2.5～6.0  
5.0～12  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION  
1234

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