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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 780 ns | 最大开启时间（吨）： | 160 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK901A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247 |
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| 2SK902 | FUJI |
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N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK902A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK903 | FUJI |
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POWER MOSFET |
|
| 2SK903M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK903MR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |
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| 2SK903-MR | FUJI |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| 2SK904 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK905 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK905A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247 |
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