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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.47 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK932_12 | SANYO |
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High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications |
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| 2SK932-21 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SOT-23 |
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| 2SK932-22 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 7.3MA I(DSS) | SOT-23 |
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| 2SK932-22-TB-E | SANYO |
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High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications |
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| 2SK932-22-TB-E | ONSEMI |
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N 沟道 JFET，15V，5 至 24mA，50mS，CP |
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| 2SK932-23 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 10MA I(DSS) | SOT-23 |
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| 2SK932-23-TB-E | SANYO |
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High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications |
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| 2SK932-23-TB-E | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 JFET，15V，5 至 24mA，50mS，CP |
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| 2SK932-24 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | SOT-23 |
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| 2SK932-24-TB-E | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications |
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