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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK943 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 25 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK944 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 22 A, 250 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK945 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK945LBTE16L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose Po |
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| 2SK945LBTE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose Po |
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| 2SK945STA1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERMOLD, DPAK-3, FET General |
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| 2SK945TE16L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SK945TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK947 | FUJI |
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N-CHANNLEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK947M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
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