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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.89 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK947M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK947MR | ETC |
获取价格 |
MOSFET |
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| 2SK947-MR | FUJI |
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N-CHANNLEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK948 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK949 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK949M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK949MR | ETC |
获取价格 |
MOSFET |
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| 2SK949-MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK94-LX1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK94-LX2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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