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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK945TE16R | TOSHIBA | TRANSISTOR 1 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK947 | FUJI | N-CHANNLEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK947M | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK947MR | ETC | MOSFET |
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| 2SK947-MR | FUJI | N-CHANNLEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK948 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
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