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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-67 | 包装说明： | SC-67, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK903M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK903MR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |
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| 2SK903-MR | FUJI |
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POWER MOSFET |
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| 2SK904 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK905 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK905A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247 |
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| 2SK906 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK906A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
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| 2SK928 | RENESAS |
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5A, 450V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2SK930 | ISAHAYA |
获取价格 |
FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
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