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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.43 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| BUK456-800B | NXP |
功能相似 |
PowerMOS transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK905 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK905A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247 |
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| 2SK906 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK906A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK928 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 450V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| 2SK930 | ISAHAYA |
获取价格 |
FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2SK930_10 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION N CHANNEL JUNTION TYPE |
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| 2SK930-11-1C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
|
| 2SK930-13-1C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
|
| 2SK930-13-1E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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