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2SK903M

更新时间: 2024-02-26 06:02:05
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 137K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB

2SK903M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK903M 数据手册

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