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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 32 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 680 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 180 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK906A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
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| 2SK928 | RENESAS |
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5A, 450V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2SK930 | ISAHAYA |
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FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SK930_10 | ISAHAYA |
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FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION N CHANNEL JUNTION TYPE |
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| 2SK930-11-1C | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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| 2SK930-13-1C | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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| 2SK930-13-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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| 2SK930C | ISAHAYA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SC-70, |
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| 2SK930D | ISAHAYA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SC-70, |
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| 2SK930E | ISAHAYA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SC-70, |
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