5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 3N80G-TF1-T | UTC |
功能相似  |
3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 3N80L-TF1-T | UTC |
功能相似 |
3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK904 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK905 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK905A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK906 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK906A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK928 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 450V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| 2SK930 | ISAHAYA |
获取价格 |
FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2SK930_10 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION N CHANNEL JUNTION TYPE |
|
| 2SK930-11-1C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
|
| 2SK930-13-1C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
