生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220F15 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 550 V |
最大漏极电流 (ID): | 4 A | 最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 40 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 270 ns | 最大开启时间(吨): | 100 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK897-MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK899 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | |
2SK900 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK901 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK901A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247 | |
2SK902 | FUJI |
获取价格 |
N-Channel Silicon Power MOS-FET | |
2SK902A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 | |
2SK903 | FUJI |
获取价格 |
POWER MOSFET | |
2SK903M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB | |
2SK903MR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |