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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK897MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 550V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK897-MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK899 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK900 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK901 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK901A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247 |
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| 2SK902 | FUJI |
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N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK902A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
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| 2SK903 | FUJI |
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POWER MOSFET |
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| 2SK903M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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