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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-83 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3072 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
|
| 2SK3074 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (RF POWER MOSFET FOR VHF- AND UHF-BAND POWER AMPLIFIER) |
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| 2SK3074_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF-BAND POWER AMPLIFIER |
|
| 2SK3075 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (RF POWER MOSFET FOR VHF- AND UHF-BAND POWER AMPLIFIER) |
|
| 2SK3075(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,5A I(D),RFMOD |
|
| 2SK3075_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIE |
|
| 2SK3076 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK3076(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.9ohm, LDPAK-3 |
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| 2SK3076(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.9ohm, LDPAK-3 |
|
| 2SK3076L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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