2SK3081

更新时间： 2024-11-08 22:52:55

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
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描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK3081 数据手册

2SK3081

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-636A (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 10mΩ typ.

4V gate drive devices.

High speed switching

•

Outline

TO–220AB

1. Gate

2. Drain(Flange)

3. Source

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3081-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3082	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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2SK3082(L)	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SK3082(L)	RENESAS	获取价格	0.15ohm, POWER, FET, LDPAK-3
2SK3082(L)\|2SK3082(S)	ETC	获取价格
2SK3082(S)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.15ohm, LDPAK-3
2SK3082(S)	RENESAS	获取价格	0.15ohm, POWER, FET, LDPAK-3
2SK3082(S)-(1)	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,10A I(D),TO-263ABVAR
2SK3082(S)-(2)	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET