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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | SC-46, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 45 A | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3082 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3082 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3082(L) | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK3082(L) | RENESAS |
获取价格 |
0.15ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK3082(L)|2SK3082(S) | ETC |
获取价格 |
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| 2SK3082(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.15ohm, LDPAK-3 |
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| 2SK3082(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.15ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK3082(S)-(1) | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,10A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK3082(S)-(2) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK3082L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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