2SK3077

更新时间： 2024-09-13 21:55:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器晶体管光电二极管
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4页	111K
描述
900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS

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2SK3077 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	15 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3077 数据手册

2SK3077

TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE

2SK3077

900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM)

Unit: mm

l Output Power

l Gain

l Drain Efficiency

: P = 15.0 dBmW (Min.)

: G = 15.0 dB (Min.)

: η = 20% (Typ.)

MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTIC

Drain-Source Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

DSS

Gate-Source Voltage

Drain Current

GSS

0.1

Power Dissipation

0.1

°C

stg

Channel Temperature

Storage Temperature Range

150

−45~150

*: Tc = 25°C When mounted on a 1.6 mm glass epoxy PCB

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

—

MARKING

—

2−2K1D

2001-12-26

12 3 4

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