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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 2SK3078A
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2SK3078A

更新时间： 2024-11-08 22:36:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 115K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3078A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-62包装说明：2-5K1D, SC-62, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：10 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A
最大漏极电流 (ID)：0.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
最小功率增益 (Gp)：8 dB认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3078A 数据手册

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2SK3078A  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
2SK3078A  
VHF/UHF Band Amplifier Applications  
Unit: mm  
·
·
·
Output power: P ≥ 28.0dBmW  
o
Gain: G ≥ 8.0dB  
p
Drain Efficiency: ηD ≥ 50%  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
V
V
10  
V
V
DSS  
5
0.5  
GSS  
I
A
D
Power dissipation  
P
(Note 1)  
3
W
°C  
°C  
D
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
150  
ch  
T
−45~150  
stg  
Note 1: Tc = 25°C  
JEDEC  
JEITA  
―
SC-62  
2-5K1D  
Marking  
TOSHIBA  
U W  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Output power  
P
28.0  
50  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
dBmW  
%
O
V
= 4.5 V, Iidle = 50 mA  
DS  
(V  
= adjust)  
GS  
Drain efficiency  
ηD  
f = 470 MHz, P = 20dBmW  
i
Z
= Z == 50 Ω  
L
G
Power gain  
G
8.0  
0.20  
¾
¾
dB  
p
Threshold voltage  
Drain cut-off current  
Gate-source leakage current  
V
V
V
V
V
= 4.8 V, I = 0.5 mA  
1.20  
10  
5
V
th  
DS  
DS  
GS  
DS  
D
I
I
= 10 V, V  
= 0 V  
GS  
µA  
DSS  
GSS  
= 5 V, V = 0 V  
DS  
¾
µA  
= 6.5 V, f = 470 MHz,  
P = 20dBmW,  
i
Load mismatch  
(Note 2)  
¾
No degradation  
¾
P = 28.0dBmW (V  
= adjust)  
GS  
o
VSWR LOAD 10:1 all phase  
Caution: This transistor is the electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
Note 2: When the RF output power test fixture is used  
1
2002-01-09  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3078A(TE12L,F) TOSHIBA

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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor
2SK3078A_07 TOSHIBA

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 		Silicon N Channel MOS Type VHF/UHF Band Amplifier Applications
2SK3078AG-AB3-R UTC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
2SK3078AL-AB3-R UTC

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