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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 2SK3077A
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2SK3077A

更新时间： 2024-09-13 21:55:19
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东芝 - TOSHIBA 放大器
页数 文件大小 规格书
5页 114K
描述
VHF/UHF Band Amplifier Applications

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2SK3077A 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.74配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：10 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A
最大漏极电流 (ID)：0.1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W最小功率增益 (Gp)：10.5 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3077A 数据手册

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2SK3077A  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
2SK3077A  
VHF/UHF Band Amplifier Applications  
Unit: mm  
·
·
·
Output power: P ≥ 20.5dBmW  
o
Gain: G ≥ 10.5dB  
p
Drain Efficiency: ηD ≥ 50%  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
V
V
10  
5
V
V
DSS  
GSS  
I
0.1  
A
D
Power dissipation  
P
0.1  
W
°C  
°C  
D
ch  
stg  
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
150  
T
−45~150  
Marking  
JEDEC  
JEITA  
―
―
4
1
3
2
TOSHIBA  
2-2K1D  
1, 3 Source  
2
4
Gate  
Drain  
W A  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Output power  
P
20.5  
50  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
dBmW  
%
O
V
= 4.5 V, Iidle = 20 mA  
= adjust)  
DS  
(V  
Drain efficiency  
η
D
GS  
f = 470 MHz, P = 10dBmW  
i
Power gain  
G
10.5  
0.25  
¾
¾
dB  
P
Threshold voltage  
Drain cut-off current  
Gate-source leakage current  
V
V
V
V
V
= 4.8 V, I = 0.5 mA  
1.25  
10  
5
V
th  
DS  
DS  
GS  
DS  
D
I
I
= 10 V, V  
= 0 V  
GS  
µA  
DSS  
GSS  
= 5 V, V = 0 V  
DS  
¾
µA  
= 6.5 V, f = 470 MHz,  
P = 10dBmW,  
i
o
Load mismatch  
(Note 1)  
¾
No degradation  
¾
P = 20.5dBmW (V  
= adjust)  
GS  
VSWR LOAD 10:1 all phase  
Caution: This transistor is the electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
Note 1: When the RF output power test fixture is used  
1
2002-01-09  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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