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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 122.5 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A | 最大漏极电流 (ID)： | 70 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 210 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3060-S-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3060-S-AZ |
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| 2SK3060-Z | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SK3060-Z | RENESAS |
获取价格 |
70A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SMD, 3 PIN |
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| 2SK3060-Z-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK3060-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3060-Z-E2-AZ |
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| 2SK3060-ZJ | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SK3060-ZJ | RENESAS |
获取价格 |
70A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SK3061 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3062 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3062-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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