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2SK3062-ZJ

更新时间： 2024-01-08 07:03:49
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 71K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3062-ZJ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.32Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：122.5 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3062-ZJ 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3062  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK3062  
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for high current switching applications.  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-262  
2SK3062-S  
FEATURES  
• Low on-state resistance  
2SK3062-ZJ  
TO-263  
DS(on)1  
GS  
D
R
R
= 8.5 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 35 A)  
DS(on)2  
GS  
D
= 12 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 35 A)  
iss  
iss  
• Low C : C = 5200 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
GS  
DSS  
V
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
60  
V
DS  
GSS(AC)  
GSS(DC)  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
±20  
+20, −10  
±70  
V
V
DS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
D(DC)  
I
Drain Current (DC)  
A
Drain Current (Pulse) Note1  
D(pulse)  
I
±280  
A
C
T
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
P
100  
W
W
°C  
°C  
A
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
1.5  
ch  
Channel Temperature  
T
150  
stg  
Storage Temperature  
T
–55 to +150  
35  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
I
AS  
E
122.5  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
2. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0 V  
THERMAL RESISTANCE  
th(ch-C)  
Channel to Case  
R
1.25  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th(ch-A)  
R
Channel to Ambient  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published April 1999 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D13101EJ1V0DS00 (1st edition)  
1998,1999  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3062-ZJ-AZ RENESAS

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 		2SK3062-ZJ-AZ
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 		2SK3062-ZJ-E1-AZ
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2SK3065 TYSEMI

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 		Optimum for a pocket resource etc. because of undervoltage actuation (2.5V actuation).
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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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