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2SK3062-AZ

更新时间： 2024-11-21 20:00:51

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SK3062-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.32
雪崩能效等级（Eas）：	122.5 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3062-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3062

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

★

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3062 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PART NUMBER

2SK3062

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3062-S

2SK3062-ZJ

2SK3062-Z

FEATURES

• Low on-state resistance

TO-263

R^DS(on)1= 8.5 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 35 A)

R^DS(on)2= 12 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 35 A)

• Low C^iss: C^iss= 5200 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

TO-220SMD

Notes TO-220SMD package is produced only in

Japan

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

(TO-220AB)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (Pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS(AC)

V^GSS(DC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

+20, −10

±70

±280

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

100

°C

(TO-262)

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

122.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting Tch = 25 °C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D13101EJ2V0DS00 (2nd edition)

1998,1999

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3062-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3062-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3062-Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 70A I(D) \| TO-263AB
2SK3062-Z-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3062-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3062-Z-E2-AZ
2SK3062-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3062-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3062-ZJ-AZ
2SK3062-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3062-ZJ-E1-AZ
2SK3064	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK3065	TYSEMI	获取价格	Optimum for a pocket resource etc. because of undervoltage actuation (2.5V actuation).
2SK3065	ROHM	获取价格	Small switching (60V, 2A)

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