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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3065
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2SK3065

更新时间： 2024-09-09 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
Small switching (60V, 2A)

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2SK3065 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

2SK3065 数据手册

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2SK3065  
Transistors  
Small switching (60V, 2A)  
2SK3065  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Low on resistance.  
2) High-speed switching.  
+0.2  
−0.1  
4.5  
1.6 0.1  
1.5 0.1  
3) Optimum for a pocket resource etc. because of  
undervoltage actuation (2.5V actuation).  
4) Driving circuit is easy.  
( )  
1
( )  
2
( )  
3
+0.1  
0.4  
−0.05  
5) Easy to use parallel.  
6) It is strong to an electrostatic discharge.  
0.5 0.1  
3.0 0.2  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
ROHM : MPT3  
E I A J : SC-62  
Abbreviated symbol : KE  
!Structure  
Silicon N-channel  
MOS FET transistor  
!Internal equivalent circuit  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Drain  
V
DSS  
GSS  
60  
20  
2
V
V
Continuous  
Pulsed  
ID  
A
Drain current  
∗1  
I
DP  
8
A
Continuous  
Pulsed  
I
DR  
2
A
Reverse drain  
current  
Gate  
∗1  
I
DRP  
8
A
0.5  
Total power dissipation(Tc=25°C)  
Channel temperature  
P
D
W
°C  
°C  
2∗2  
∗Gate  
Tch  
Tstg  
150  
Protection  
Diode  
Source  
−55∼+150  
Storage temperature  
∗1 Pw ≤ 10µs, Duty cycle ≤ 1%  
∗2 When mounted on a 40 × 40 × 0.7 mm alumina board.  
∗ A protection diode has been built in between the  
gate and the source to protect against static  
electricity when the product is in use.  
Use the protection circuit when rated voltages are  
exceeded.  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
10  
−
Unit  
µA  
V
Test Conditions  
Gate-source leakage  
I
GSS  
(BR)DSS  
DSS  
−
60  
−
−
V
GS  
=
20V, VDS  
1mA, VGS 0V  
0V  
1mA  
4V  
= 0V  
Drain-source breakdown voltage  
Zero gate voltage drain current  
Gate threshold voltage  
V
−
I
D
=
DS  
DS  
=
=
I
−
10  
1.5  
0.32  
0.45  
−
µA  
V
V
V
=
=
60V, VGS  
=
V
GS(th)  
0.8  
−
−
10V, I  
D
=
0.25  
0.35  
−
I
D
D
D
1A, VGS  
1A, VGS  
1A, VDS  
=
=
=
RDS(on)  
DS(on)  
Static drain-source on-state  
resistance  
Ω
R
−
I
=
2.5V  
10V  
Ω
Yfs  
1.5  
−
S
I
=
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
∗
C
iss  
oss  
rss  
d(on)  
160  
85  
25  
20  
50  
120  
70  
−
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
V
f
DS  
GS  
=
=
=
10V  
0V  
C
−
−
C
−
−
1MHz  
t
t
−
−
I
D
=
1A, VDD  
30V  
t
r
−
−
V
GS  
= 4V  
d(off)  
−
−
R
L
=
30Ω  
10Ω  
Turn-off delay time  
Fall time  
t
f
−
−
R
G
=
Pw ≤ 300µs, Duty cycle ≤ 1%  
∗
1234

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与2SK3065相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK30651000 ROHM

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 		Small switching (60V, 2A)
2SK3065T100 ROHM

获取价格

 		Small switching (60V, 2A)
2SK3066 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | SMT
2SK3067 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
2SK3067_06 TOSHIBA

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 		Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic
2SK3067_09 TOSHIBA

获取价格

 		Chopper Regulator, DC?DC Converter and Motor Drive
2SK3068 TOSHIBA

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 		N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER
2SK3068(2-10S1B) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10S1B, 3
2SK3068(2-10S2B) TOSHIBA

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2SK3068(Q) TOSHIBA

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 		2SK3068(Q)

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