2SK3067

更新时间： 2024-11-10 22:52:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3067 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SC-67	包装说明：	LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3067 数据手册

2SK3067

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)

2SK3067

Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive

Unit: mm

Applications

l Low drain−source ON resistance

l High forward transfer admittance

: R = 4.2 Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 1.7 S (typ.)

l Low leakage current

l Enhancement−mode

: I

= 100 µA (max) (V

th DS

= 600 V)

= 10 V, I = 1 mA)

DSS

: V = 2.0~4.0 V (V

Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain−source voltage

600

±30

DSS

Drain−gate voltage (R

= 20 kΩ)

DGR

Gate−source voltage

GSS

(Note 1)

Pulse (t = 1 ms)

Drain current

(Note 1)

Pulse (t = 100 µs)

(Note 1)

JEDEC

JEITA

—

Drain power dissipation

SC-67

2-10R1B

Single pulse avalanche energy

(Note 2)

TOSHIBA

Avalanche current

2.5

Weight: 1.9 g (typ.)

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

150

Storage temperature range

−55~150

stg

Electrical Characteristics (Tc = 25°C)

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal reverse, channel to case

Thermal reverse, channel to ambient

5.0

°C / W

th (ch−c)

62.5

th (ch−a)

Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.

Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 41 mH, R = 25 Ω, I = 2 A

DD ch AR

Note 3: Repetitive rating; Pulse width limited by maximum channel temperature.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2002-06-05

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