2SK3046

更新时间： 2024-11-28 22:52:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3046 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220D-A1, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3046 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK3046

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features

● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 130mJ

unit: mm

● V_GSS= ±30V guaranteed

● High-speed switching: t_f= 60ns

● No secondary breakdown

4.6±0.2

9.9±0.3

2.9±0.2

φ3.2±0.1

■ Applications

● Contactless relay

● Diving circuit for a solenoid

● Driving circuit for a motor

● Control equipment

1.4±0.2

2.6±0.1

1.6±0.2

● Switching power supply

0.8±0.1

0.55±0.15

■ Absolute Maximum Ratings (T_C= 25°C)

2.54±0.3

5.08±0.5

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Gate

2: Drain

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

500

3: Source

TO-220D Package

Gate to Source voltage

Pulse

Avalanche energy capacity

V_GSS

I_D

±30

±7

Drain current

I_DP

±14

EAS^*

130

Allowable power

dissipation

T_C= 25°C

Ta = 25°C

P_D

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

L = 5.4mH, I_L= 7A, 1 pulse

■ Electrical Characteristics (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

V_DS= 400V, V_GS= 0

V_GS= ±30V, V_DS= 0

I_D= 1mA, V_GS= 0

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 10V, I_D= 4A

V_DS= 25V, I_D= 4A

I_DR= 7A, V_GS= 0

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

0.1

±1

I_GSS

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

500

Gate threshold voltage

V_th

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

Diode forward voltage

R_DS(on)

| Y_fs|

V_DSF

0.7

Ω

−1.6

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

1200

160

V_DS= 20V, V_GS= 0, f = 1MHz

Turn-on time (delay time)

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10V, I_D= 5A

Turn-off time (delay time)

Fall time

V_DD= 150V, R_L= 30Ω

140

12 3

中文翻译

下载PDF

2SK3046 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH36N50P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET
IXFH30N50Q3	IXYS	功能相似	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
FDA28N50F	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175Ω

与2SK3046相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3046DS	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
2SK3047	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3048	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3048DS	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
2SK3049	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK304C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 600UA I(DSS) \| SPAK
2SK304D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 1.2MA I(DSS) \| SPAK
2SK304E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 2.5MA I(DSS) \| SPAK
2SK304F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5MA I(DSS) \| SPAK
2SK3050	ROHM	获取价格	Small switching (600V, 2A)

与2SK3046相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

51
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3046

2SK3046 技术参数

2SK3046 数据手册

2SK3046 替代型号

与2SK3046相关器件

与2SK3046相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3046

2SK3046 技术参数

2SK3046 数据手册

2SK3046 替代型号

与2SK3046相关器件

与2SK3046相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？