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FDA28N50F

更新时间： 2024-11-30 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 536K
描述
N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175Ω

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FDA28N50F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.94
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：2352 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：112 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDA28N50F 数据手册

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November 2008  
TM  
UniFET  
FDA28N50F  
N-Channel MOSFET  
500V, 28A, 0.175Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.140Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A  
Low Gate Charge ( Typ. 80nC)  
Low Crss ( Typ. 38pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Failchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advance technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These device are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast Switching  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
RoHS Compliant  
D
G
TO-3PN  
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
500  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±30  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
28  
ID  
Drain Current  
A
17  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
112  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2352  
28  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
31  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
15  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
310  
PD  
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Case to Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Ratings  
0.4  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.24  
40  
oC/W  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDA28N50F Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDA28N50F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK1352 TOSHIBA

功能相似

 TRANSISTOR 7 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
2SK1118 TOSHIBA

功能相似

 N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Div
2SK2237 TOSHIBA

功能相似

 SILICON N CHANNEL MOS TYPE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDA28N50F_12 FAIRCHILD

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 		N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175Ω
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