2SK3055

更新时间： 2024-11-19 22:52:55

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	65K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3055 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.36	雪崩能效等级（Eas）：	22.5 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3055 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3055

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

DESCRIPTION

This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

2SK3055

Isolated TO-220

FEATURES

• Low On-State Resistance

DS(on)1

= 34 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 15 A)

DS(on)2

= 50 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 15 A)

iss

• Low C : C = 920 pF TYP.

• Built-in Gate Protection Diode

• Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

DSS

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

GSS(AC)

±20

+20, −10

±30

GSS(DC)

D(DC)

Drain Current (Pulse) ^Note1

D(pulse)

±100

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

2.0

Channel Temperature

150

stg

Storage Temperature

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

22.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

th(ch-C)

Channel to Case

5.0

°C/W

th(ch-A)

Channel to Ambient

62.5

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published March 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

D13094EJ1V0DS00 (1st edition)

1997,1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3056	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3056	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK3056-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3056-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3056-S	RENESAS	获取价格	32A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
2SK3056-Z	RENESAS	获取价格	32A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
2SK3056-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3056-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3056-Z-E2-AZ
2SK3056-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3056-ZJ	RENESAS	获取价格	32A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

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