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2SK3057-AZ

更新时间： 2024-11-18 19:48:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	65K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK3057-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	50.6 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	45 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3057-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3057

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

The 2SK3057 product is N-Channel MOS Field Effect

Transistor designed for high current switching application.

PACKAGE

2SK3057

Isolated TO-220

FEATURES

• Low on-state resistance

★

(Isolated TO-220)

R^DS(on)1= 17 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 23 A)

R^DS(on)2= 27 mΩ MAX. (V^GS= 4 V, I^D= 23 A)

• Low C^iss: C^iss= 2100 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS(AC)

V^GSS(DC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

+20, –10

±45

±150

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T

2.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

22.5

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

50.6

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

★

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D13096EJ2V0DS00 (2nd edition)

1998, 2001

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3058	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3058(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-262AA
2SK3058(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263ABVAR
2SK3058(0)-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB
2SK3058(0)-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB
2SK3058(0)-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB
2SK3058-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3058-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3058-Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 55A I(D) \| TO-263ABVAR
2SK3058-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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