2SK3059

更新时间： 2024-01-11 13:29:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	70K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3059 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.38
雪崩能效等级（Eas）：	62.5 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3059 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3059

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

The 2SK3059 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

2SK3059

Isolated TO-220

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 13 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 25 A)

R^DS(on)2= 20 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 25 A)

• Low C^iss: C^iss= 2400 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• Isolated TO-220 package

(Isolated TO-220)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (Pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS(AC)

V^GSS(DC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

+20, −10

±50

±200

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T

2.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

62.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D13098EJ3V0DS00 (3rd edition)

1999,2001

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与2SK3059相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3059-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SK3060	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2SK3060	RENESAS	70A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN	获取价格
2SK3060-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SK3060-S	RENESAS	70A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN	获取价格
2SK3060-S	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格