2SK3060

更新时间： 2024-10-02 04:26:31

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SK3060 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	122.5 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	210 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3060 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3060

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3060

The 2SK3060 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3060-S

FEATURES

• Low on-state resistance

2SK3060-ZJ

TO-263

R^DS(on)1= 13 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 35 A)

R^DS(on)2= 20 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 35 A)

• Low C^iss: C^iss= 2400 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3060-Z

TO-220SMD^Note

Note This package is produced only in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

V^DSS

V^GSS(AC)

V^GSS(DC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

+20, −10

±70

Drain Current (Pulse) ^Note1

±210

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

(TO-262)

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

122.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

(TO-263, TO-220SMD)

★

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D13099EJ3V0DS00 (3rd edition)

1997,2000

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3060-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3060-S	RENESAS	获取价格	70A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
2SK3060-S	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3060-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3060-S-AZ
2SK3060-Z	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3060-Z	RENESAS	获取价格	70A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SMD, 3 PIN
2SK3060-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3060-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3060-Z-E2-AZ
2SK3060-ZJ	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3060-ZJ	RENESAS	获取价格	70A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

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