2SK3058

更新时间： 2024-10-02 11:51:07

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3058 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.31	雪崩能效等级（Eas）：	75.6 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	55 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	165 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3058 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3058

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3058

DESCRIPTION

This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3058-S

FEATURES

• Super Low On-State Resistance

2SK3058-ZJ

TO-263

DS(on)1

= 17 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 28 A)

DS(on)2

= 27 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 28 A)

iss

• Low C : C = 2100 pF (TYP.)

• Built-in Gate Protection Diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0)

GSS(AC)

Gate to Source Voltage (V = 0)

±20

+20, –10

±55

GSS(DC)

Gate to Source Voltage (V = 0)

D(DC)

Drain Current (DC)

Drain Current (Pulse) ^Note1

D(pulse)

±165

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

1.5

Channel Temperature

150

stg

Storage Temperature

–55 to + 150

27.5

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

75.6

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting Tch = 25 °C, R = 25 Ω, V = 20 V → 0

THERMAL RESISTANCE

th(ch-C)

Channel to Case

2.16

83.3

°C/W

th(ch-A)

Channel to Ambient

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Document No.

D13097EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

1998, 1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3058(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-262AA
2SK3058(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263ABVAR
2SK3058(0)-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB
2SK3058(0)-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB
2SK3058(0)-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB
2SK3058-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3058-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3058-Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 55A I(D) \| TO-263ABVAR
2SK3058-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3058-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263ABVAR

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