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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.79 | 雪崩能效等级（Eas）： | 25.6 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3056-Z | RENESAS |
获取价格 |
32A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
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| 2SK3056-Z-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK3056-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3056-Z-E2-AZ |
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| 2SK3056-ZJ | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3056-ZJ | RENESAS |
获取价格 |
32A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SK3056-ZJ-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3056-ZJ-AZ |
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| 2SK3056-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3056-ZJ-E1-AZ |
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| 2SK3057 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3057-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3058 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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