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2SK3056-Z-AZ

更新时间： 2024-11-18 19:55:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	76K
描述
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN

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2SK3056-Z-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	雪崩能效等级（Eas）：	25.6 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	32 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3056-Z-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3056

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3056 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PART NUMBER

2SK3056

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3056-S

2SK3056-ZJ

2SK3056-Z

FEATURES

TO-263

• Low On-state Resistance

Note

★

TO-220SMD

R^DS(on)1= 34 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 16 A)

R^DS(on)2= 50 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 16 A)

• Low C^iss: C^iss= 920 pF TYP.

• Built-in Gate Protection Diode

Note TO-220SMD package is produced only in

Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS(AC)

V^GSS(DC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

+20, −10

±32

±100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T2

1.5

°C

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

25.6

(TO-263, TO-220SMD)

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

★

2. Starting Tch = 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D13095EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark ★ shows major revised points.

1998,1999, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3056-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3056-Z-E2-AZ
2SK3056-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3056-ZJ	RENESAS	获取价格	32A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
2SK3056-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3056-ZJ-AZ
2SK3056-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3056-ZJ-E1-AZ
2SK3057	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3057-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3058	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3058(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-262AA
2SK3058(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263ABVAR

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