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2SK3057

更新时间： 2024-02-06 05:57:08
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3057 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MP-45F针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.78
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO

2SK3057 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3057  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for high current switching application.  
PACKAGE  
2SK3057  
Isolated TO-220  
FEATURES  
• Low on-state resistance  
DS(on)1  
GS  
D
R
R
= 17 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 23 A)  
DS(on)2  
GS  
D
= 27 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 23 A)  
iss  
iss  
• Low C : C = 2100 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
• Isolated TO-220 package  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
DSS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
60  
V
V
GSS(AC)  
GSS(DC)  
D(DC)  
V
±20  
+20, –10  
±45  
V
V
I
A
Drain Current (pulse) Note1  
D(pulse)  
I
±150  
A
c
T
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
P
30  
W
W
°C  
°C  
A
a
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
2.0  
ch  
Channel Temperature  
T
150  
stg  
Storage Temperature  
T
–55 to +150  
22.5  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
I
AS  
E
50.6  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
2. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V→0  
THERMAL RESISTANCE  
th(ch-c)  
Channel to Case  
R
4.17  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th(ch-a)  
Channel to Ambient  
R
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
D13096EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published March 1999 NS CP(K)  
Printed in Japan  
1998  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3057-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3058 NEC

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 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3058(0)-S-AZ RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-262AA
2SK3058(0)-Z-E2-AZ RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263ABVAR
2SK3058(0)-ZJ-AZ RENESAS

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 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3058-Z ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263ABVAR

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