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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 25.6 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 32 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 32 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 34 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3056-ZJ-AZ | RENESAS |
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2SK3056-ZJ-AZ |
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| 2SK3056-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
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2SK3056-ZJ-E1-AZ |
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| 2SK3057 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3057-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3058 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3058(0)-S-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-262AA |
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| 2SK3058(0)-Z-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK3058(0)-ZJ-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB |
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| 2SK3058(0)-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB |
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| 2SK3058(0)-ZJ-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,55A I(D),TO-263AB |
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