2SK3047

更新时间： 2024-09-28 22:52:55

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK3047 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220D-A1, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	15 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3047 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK3047

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features

● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 15mJ

unit: mm

● V_GSS= ±30V guaranteed

● High-speed switching: t_f= 25ns

● No secondary breakdown

4.6±0.2

9.9±0.3

2.9±0.2

φ3.2±0.1

■ Applications

● Contactless relay

● Diving circuit for a solenoid

● Driving circuit for a motor

● Control equipment

1.4±0.2

2.6±0.1

1.6±0.2

● Switching power supply

0.8±0.1

0.55±0.15

■ Absolute Maximum Ratings (T_C= 25°C)

2.54±0.3

5.08±0.5

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Gate

2: Drain

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

800

3: Source

TO-220D Package

Gate to Source voltage

Pulse

Avalanche energy capacity

V_GSS

I_D

±30

±2

Drain current

I_DP

±4

EAS^*

Allowable power

dissipation

T_C= 25°C

Ta = 25°C

P_D

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

L = 5mH, I_L= 2.45A, V_DD= 50V, 1 pulse

■ Electrical Characteristics (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

V_DS= 640V, V_GS= 0

V_GS= ±30V, V_DS= 0

I_D= 1mA, V_GS= 0

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 10V, I_D= 1A

V_DS= 25V, I_D= 1A

I_DR= 2A, V_GS= 0

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

0.1

±1

I_GSS

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

800

Gate threshold voltage

V_th

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

Diode forward voltage

R_DS(on)

| Y_fs|

V_DSF

4.8

1.1

Ω

0.7

−1.3

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

350

V_DS= 20V, V_GS= 0, f = 1MHz

Turn-on time (delay time)

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10V, I_D= 1A

Turn-off time (delay time)

Fall time

V_DD= 200V, R_L= 200Ω

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