2SK3050

更新时间： 2024-11-18 00:00:47

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罗姆 - ROHM		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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5页	100K
描述
Small switching (600V, 2A)

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2SK3050 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SK3050 数据手册

2SK3050

Transistors

Small switching (600V, 2A)

2SK3050

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

+0.2

−0.1

2.3

6.5±0.2

2) Fast switching speed.

3) Wide SOA (safe operating area).

4) Gate-source voltage (V^GSS)

guaranteed to be ±30V.

5) Easily designed drive circuits.

6) Easy to use in parallel.

C0.5

+0.2

5.1

−0.1

0.5±0.1

0.65±0.1

0.75

0.9

0.5±0.1

1.0±0.2

2.3±0.2 2.3±0.2

(1) (2) (3)

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

zStructure

Silicon N-channel

MOSFET

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Limits

Symbol

Unit

600

VDSS

GSS

Continuous

Pulsed

Drain current

∗

Continuous

Pulsed

Reverse drain

current

∗

DRP

Total power dissipation (Tc=25°C)

°C

Channel temperature

150

Tch

Storage temperature

−55 to +150

Tstg

∗Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

zPackaging specifications

Package

Taping

Code

Type Basic ordering unit (pieces)

2SK3050

2500

1/4

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