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2SJ451ZK-TL-E

更新时间： 2024-01-27 18:30:26

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	110K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ451ZK-TL-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ451ZK-TL-E 数据手册

2SJ451

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_DSS

Min

–20

±20

—

Typ

—

Max Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate to source leak current

—

I_D= –100 µA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_DS= –16 V, V_GS= 0

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

I_D= –10 µA, V_DS= –5 V

I_D= –100 mA, V_GS= –4 V ^{Note 2}

I_D= –40 mA, V_GS= –2.5 V ^{Note 2}

I_D= –100 mA, V_DS= –10 V ^{Note 2}

V_DS= –10 V

—

–1.0

±2.0

–1.5

3.5

9.0

—

µA

I_GSS

—

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

V_{GS (off)}

R_{DS (on) 1}

R_{DS (on) 2}

|y_fs|

–0.5

—

2.3

5.0

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

0.13 0.23

Ciss

—

2.4

—

µs

V_GS= 0

Coss

Crss

—

f = 1 MHz

0.6

170

680

3.0

2.8

—

t_{d (on)}

—

I_D= –0.1 A

V_GS= –10 V

R_L= 100 Ω

t_r

—

Turn-off delay time

Fall time

t_{d (off)}

—

t_f

—

Note: 2. Pulse test

REJ03G864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007

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与2SJ451ZK-TL-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ451ZK-TR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ451ZK-TR-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ451ZK-UL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ451ZK-UR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ451ZK-UR	RENESAS	获取价格	0.2A, 20V, 9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ452	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET
2SJ452	TYSEMI	获取价格	Low frequency power switching
2SJ452ZM	HITACHI	获取价格	0.2A, 50V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ452ZM-01	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ452ZM-TL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal