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2SJ451ZK-TL-E

更新时间： 2024-01-28 23:39:25

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	110K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ451ZK-TL-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ451ZK-TL-E 数据手册

2SJ451

Package Dimensions

Package Name

MPAK

JEITA Package Code

SC-59A

RENESAS Code

PLSP0003ZB-A

Previous Code

MASS[Typ.]

0.011g

MPAK(T) / MPAK(T)V

Dimension in Millimeters

Min Nom Max

Reference

Symbol

A₁

A₂

A₃

H_E

L₁

L_P

b₂

e₁

I₁

1.0

1.3

0.1

1.2

1.1

0.25

0.4

0.35

0.1

2.7

1.35

0.5

0.16 0.26

3.1

1.5

0.95

2.8

1.65

2.2

3.0

0.35

0.15

0.25

0.75

0.55

0.65

0.05

0.55

1.95

0.3

Pattern of terminal position areas

1.05

A-A Section

Ordering Information

Part Name

Quantity

Shipping Container

2SJ451ZK-TL-E

2SJ451ZK-TR-E

3000 pcs

Taping

Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of

production before ordering the product.

REJ03G864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007

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与2SJ451ZK-TL-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ451ZK-TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ451ZK-TR-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ451ZK-UL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ451ZK-UR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ451ZK-UR	RENESAS	0.2A, 20V, 9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ452	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格