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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ455 | SANYO | General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SJ456 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ457 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-251 |
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| 2SJ458 | SANYO | P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
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| 2SJ459 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ460 | NEC | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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