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2SJ462

更新时间： 2024-11-20 22:33:23

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	65K
描述
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

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2SJ462 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ462 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ462

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR HIGH SPEED SWITCHING

DESCRIPTION

Package Drawings (unit : mm)

The 2SJ462 is a switching device which can be driven directly

by an IC operating at 3 V.

5.7 ±0.1

1.5 ±0.1

2.0 ±0.2

The 2SJ462 features a low on-state resistance and can be

driven by a low voltage power source, so it is suitable for applica-

tions such as power management.

FEATURES

0.5 ±0.1

•

Can be driven by a 2.5 V power source.

New-type compact package.

0.4 ±0.05

2.1

0.85 ±0.1

4.2

Has advantages of packages for small signals and for power

transistors, and compensates those disadvantages.

Low on-state resistance.

•

Equivalent Circuit

R^DS(ON): 0.29 Ω MAX. @VGS = –2.5 V, ID = –0.5 A

RDS(ON) : 0.19 Ω MAX. @VGS = –4.0 V, ID = –1.0 A

Electrode

Connection

1. Source

2. Drain

Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

V^GSS

I^D(DC)

ID(pulse)

P^T

–12

±8.0

3. Gate

±2.5

Internal Diode

Gate

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

±5.0*

2.0**

˚C

Gate Protect

Diode

T^ch

150

Source

Tstg

–55 to +150

Marking : UA3

* PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 1 %

** Mounted on ceramic board of 7.5 cm²× 0.7 mm

Document No. D11449EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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与2SJ462相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ462-T1	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ463	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SJ463A	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SJ463A(0)-T1-A	RENESAS	获取价格	2SJ463A(0)-T1-A
2SJ463A-A	NEC	获取价格	100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ463A-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-70
2SJ463A-T1	NEC	获取价格	100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ463A-T1-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ463A-T1-A	RENESAS	获取价格	2SJ463A-T1-A
2SJ463A-T2	NEC	获取价格	100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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