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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 191.8 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ472-01L_06 | FUJI |
获取价格 |
P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SJ472-01S | FUJI |
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P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SJ473-01 | ETC |
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| 2SJ473-01L | FUJI |
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Power MOSFET |
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| 2SJ473-01L_06 | FUJI |
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P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SJ473-01S | FUJI |
获取价格 |
P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SJ474-01 | ETC |
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| 2SJ474-01L | FUJI |
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Power MOSFET |
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| 2SJ474-01L_05 | FUJI |
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P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SJ474-01S | FUJI |
获取价格 |
P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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