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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.36 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 16 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.71 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2549 | TOSHIBA |
功能相似  |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ465(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,16V V(BR)DSS,2A I(D),TO-243 |
|
| 2SJ465(TE12L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,16V V(BR)DSS,2A I(D),TO-243 |
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| 2SJ465_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
|
| 2SJ466 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ467 | ETC |
获取价格 |
|
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| 2SJ468 | ETC |
获取价格 |
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|
| 2SJ469 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO |
|
| 2SJ471 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SJ471 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel DV-L MOS FET |
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| 2SJ471-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel DV-L MOS FET |
|
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