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2SJ465(TE12L,F)

更新时间： 2024-11-18 14:46:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 391K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,16V V(BR)DSS,2A I(D),TO-243

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2SJ465(TE12L,F) 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

2SJ465(TE12L,F) 数据手册

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2SJ465  
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L −π−MOSV)  
2SJ465  
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z 2.5-V gate drive  
z Low drain−source ON-resistance  
: R  
= 0.54 Ω (typ.)  
DS (ON)  
z High forward transfer admittance : |Y | = 1.7 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= −100 μA (max) (V  
= −16 V)  
DSS  
DS  
z
Enhancement mode : V = −0.5 to −1.1 V  
th  
(V  
DS  
= −10 V, I = −200 μA)  
D
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−16  
−16  
V
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
±8  
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
−2  
D
Drain current  
A
I
−6  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
P
0.5  
W
W
D
D
(Note 2)  
P
1.5  
TOSHIBA  
2−5K1B  
T
150  
°C  
°C  
ch  
stg  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: Mounted on a ceramic substrate (25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm)  
Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change  
in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
250  
Unit  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
°C / W  
th (ch−a)  
This transistor is an electrostatic-sensitive device.  
Please handle with caution.  
1
2009-12-10  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SJ465_07 TOSHIBA

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