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2SJ468

更新时间： 2024-11-08 23:20:35

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2SJ468 数据手册

注文コードNo.N 5 4 9 3 A

2SJ468

No. ^5493A

三洋半導体ニューズ

52599

新

開発速報No.※5493とさしかえてください。

P チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ

2SJ468

DC-DC コンバータ用超高速スイッチング

特長・低オン抵抗。

・超高速スイッチング。

・4V 駆動。

絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃

unit

ドレイン・ソース電圧

ゲート・ソース電圧

ドレイン電流（DC）

ドレイン電流（パルス）

許容損失

－30

±25

－4

－32

2.0

DSS

GSS

PW ≦10µs,dutycycle≦1%

セラミック基板(1200m m ²×0.8m m )装着時

チャネル温度

Tch

150

℃

保存周囲温度

Tstg

－55～＋150

電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃

m in

typ

m ax unit

ドレイン・ソース降伏電圧

ドレイン・ソースしゃ断電流

ゲート・ソースもれ電流

ゲート・ソースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

I =－1m A,V =0

－30

µA

(BR)DSS

DSS

=－30V,V =0

－100

±10

GSS

=±20V,V =0

(off)

=－10V,I =－1m A

－1.0

－2.5

yfs

=－10V,I =－4A

ドレイン・ソース間オン抵抗

(on)1 I =－4A,V =－10V

100 m Ω

170 m Ω

(on)2 I =－2A,V =－4V

125

次ページへ続く。

スイッチングタイム測定回路図ꢀꢀꢀꢀꢀ

外形図ꢀ2116

(unit:m m )

=--15V

=--4A

--10V

R =3.75Ω

1:Source

2:Source

3:Source

4:Gate

5:Drain

6:Drain

7:Drain

8:Drain

OUT

PW=10µs

D.C.≦1%

0.2

5.0

P.G

50Ω

2SJ468

1.27

0.595

0.43

SANYO：SOP8

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

52599SIIM /61797SI◎祝田TA-0653/21596YK 寿◎丹野No.5493-1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ469	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SO
2SJ471	HITACHI	获取价格	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching
2SJ471	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel DV-L MOS FET
2SJ471-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel DV-L MOS FET
2SJ472-01	ETC	获取价格
2SJ472-01L	FUJI	获取价格	Power MOSFET
2SJ472-01L_06	FUJI	获取价格	P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
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