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2SJ459

更新时间： 2024-09-25 22:45:07

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三洋 - SANYO		晶体开关晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	36K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

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2SJ459 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	2.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ459 数据手册

Ordering number : ENN5423A

2SJ459

P-Channel Silicon MOSFET

2SJ459

Ultrahigh-Speed Switching Applications

Features

Package Dimensions

unit : mm

•

High-speed diode incorporated.

2093A

[2SJ459]

4.5

10.2

1.3

1.2

0.8

0.4

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

2.55

SANYO : SMP

unit : mm

2090A

[2SJ459]

10.2

4.5

1.3

0.8

0 to 0.3

0.4

1.2

2.55

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

2.55

SANYO : SMP-FD

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

83002 TS IM TA-100040 No.5423-1/4

12 3 4

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与2SJ459相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ460	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SJ460-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ461	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SJ461	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ461-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SJ461A-T1B-AT	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ461A-T2B-AT	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ461-L	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59
2SJ461-L-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59
2SJ461-T1B	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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