5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ452ZM-TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ452ZM-TR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SJ452ZM-UL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ452ZM-UR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ453 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |
|
| 2SJ453TP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR |
|
| 2SJ453TP-FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
|
| 2SJ454 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) |
|
| 2SJ455 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SJ456 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
