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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ452ZM-TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ452ZM-TR | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SJ452ZM-UL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ452ZM-UR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ453 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |
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| 2SJ453TP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR |
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| 2SJ453TP-FA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ454 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) |
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| 2SJ455 | SANYO |
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General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SJ456 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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