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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4.4 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2.5 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 10600 ns | VCEsat-Max： | 5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2589 | SANKEN |
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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose) |
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| 2SD2589O | ALLEGRO |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD2589O | SANKEN |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD2589Y | ALLEGRO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SD2589Y | SANKEN |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD259 | ETC |
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NPN Transistor |
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| 2SD2592L | HITACHI |
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Power Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3 |
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| 2SD2592S | HITACHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 |
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| 2SD2598 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification) |
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| 2SD2598Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71 |
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