2SD2589Y

更新时间： 2024-11-18 13:04:23

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三垦 - SANKEN		晶体稳压器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	24K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM25, 3 PIN

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2SD2589Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	110 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	15000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2589Y 数据手册

Darlington 2 S D2 5 8 9

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1659)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

■Absolute maximum ratings

External Dimensions FM-25(TO220)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

2SD2589

Symbol

Conditions

2SD2589

100max

110min

5000min

2.5max

3.0max

60typ

Unit

µA

Unit

±0.2

4.8

±0.2

10.2

I^CBO

V^CBO

VCEO

VEBO

110

V^CB=110V

±0.1

2.0

IEBO

110

V^EB=5V

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

V^CE=4V, IC=5A

I^C=5A, IB=5mA

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

±0.2

ø3.75

VCE(sat)

VBE(sat)

50(Tc=25°C)

150

°C

1.35

MHz

COB

55typ

Tstg

–55 to +150

+0.2

-0.1

0.65

h^FERank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

2.5

1.4

C E

Weight : Approx 2.6g

a. Type No.

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

IB2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

0.8typ

6.2typ

1.1typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

IC=5A

IC=3A

I^B=0.1mA

0.1

0.5

50 100

2.5

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

^j-at Characteristics

(VCE=4V)

40000

Typ

10000

5000

10000

5000

1000

500

1000

500

0.5

0.4

200

0.02

100

0.02

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

5 6

0.1

0.5

5 6

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

Typ

Without Heatsink

–0.02

–0.1

–1

–6

100

125

150

Emitter Current IE(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

161

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