2SD2599

更新时间： 2024-01-10 12:06:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	160K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2599 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2599 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD2599

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·High voltage;high speed

·Low saturation voltage

·Bult-in damper diode

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output for color TV

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

600

UNIT

Open base

Open collector

3.5

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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